江西大有科技申请高磁导率低损耗的半环型铁基纳米晶磁芯专利,具有很大的应用前景

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夏画 2024-10-23 会员案例 32 次浏览 0个评论
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  金融界 2024 年 10 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,江西大有科技有限公司申请一项名为“一种高磁导率低损耗的半环型铁基纳米晶磁芯及其制备方法”的专利,公开号 CN 118762917 A,申请日期为 2024 年 7 月。

  专利摘要显示,本发明提供一种高磁导率低损耗的半环型铁基纳米晶磁芯及其制备方法,属于铁基纳米晶软磁合金磁环制备的技术领域。该制备方法包括:将铁基纳米晶带材卷绕成设定填充系数的待处理磁芯;复合磁场热处理,包括施加横向磁场的第一阶段热处理以及无磁场的第二阶段热处理;将热处理后的磁芯进行预烘烤、含浸处理使得含浸液浸透磁芯;再采用模具将磁芯的内径和外径完全固定,进行 360°旋转烘烤,实现含浸液的固化;切割磁芯,对切割的端面采用砂纸打磨与铁基纳米晶金属粉研磨,获得高磁导率低损耗的半环型铁基纳米晶磁芯。本发明通过创新的非晶合金成分与合金制备方法,制得具有高磁导率和低磁性损耗等优良性能的半环型铁基纳米晶磁芯,具有很大的应用前景。

  本文源自金融界

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